三星电子在英伟达 GTC 大会前次展示了这款芯片，凸显了其成为英伟达行将出的 Vera Rubin 平台关节作伙伴的尽力。三星还展示了 Hybrid Copper Bonding（混铜键）塔城设备保温工程，这是种旨在克服传统热压键物理收尾的新封装时刻。HCB 时刻可让新代带宽存储器（HBM）罢了16 层及以上堆叠，同期将热阻缩小20 以上。其他为英伟达 AI 基础技艺造的前沿时刻还包括HBM4与SOCAMM2，当今这两款居品均已量产。
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